低壓擴散石英管的這種制成工藝有什么優(yōu)勢呢？

低壓擴散的優(yōu)勢：

常壓擴散爐通常采用管口或管尾進氣，通過大氮氣流將磷源帶到另一端，易造成一端磷源濃度高、另一端濃度低的現(xiàn)象，而且常壓下氣體分子自由程較小，各區(qū)域硅片接觸磷源幾率差距較大，只能通過調(diào)節(jié)溫度控制方塊電阻值，無法保證片內(nèi)及片間均勻性。

低壓擴散在擴散爐工作腔內(nèi)使用負壓環(huán)境，氣體分子自由程變大，可以提高擴散爐管內(nèi)氣流的均勻性，避免湍流產(chǎn)生，從而提高擴散的均勻性，為晶硅太陽電池效率進一步提升奠定了基礎(chǔ)。由于擴散方阻均勻性的提高，裝片石英舟槽間距設(shè)計可降為標(biāo)準(zhǔn)值的一半左右，這樣可以在設(shè)備體積不變的情況下將產(chǎn)能提高1倍。此外，低壓擴散過程中化學(xué)品的利用效率提高，工藝過程中化學(xué)品的用量大幅降低，節(jié)省成本。

低壓擴散工藝優(yōu)化實驗：

工藝溫度優(yōu)化

在低壓環(huán)境下，擴散源的分子自由程增長，擴散源的占比增大，低壓擴散中磷原子沉積于硅片表面的速率遠快于常壓擴散。這樣容易引起磷原子集中于硅片淺表面，如果高溫低壓推進過程不能將這些磷原子推進至合適深度，就會使硅片淺表面磷濃度過大，引起硅片淺表面電子空穴對復(fù)合過快，進而影響太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)化擴散工藝中的高溫推進溫度和時間顯得尤為重要。

方阻的測試方法：每管選取3片硅片分別為爐口一片，爐中一片，爐尾一片；每片選5個測試點，中心、右上、右下、左下、左上5點位置。片內(nèi)不均勻性的計算方法為：片內(nèi)不均勻性=（最大值-最小值）/（最大值+最小值）。

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